若英特尔与紫光集团合体进攻3D NAND市场,恐让市场供需失衡

来源:网络整理 作者:2018年01月10日 19:43
关键词:英特尔
集微网消息,1月9日,英特尔(Intel)宣布与美光(Micron)即将在第三代3D NAND之后分道扬镳。今日台湾DIGITIMES报道指出,业界透露英特尔在3D NAND布局押宝大陆市场,不仅扩充大陆12吋厂的产能,后续不排除以技术授权等方式,加速携手紫光集团,届时恐颠覆NAND Flash产业。 DIGITIMES报道指出,英特尔在2012年开始陆续退出新加坡厂的股份,并降低对IM Flash合资厂的持股,英特尔更开始扩张大陆市场,将大连厂改装成3D NAND工厂,埋下英特尔与美光在3D NAND布局各奔前程的伏笔。观察近些年英特尔在NAND Flash的策略,早已步步疏离美光,双方正式宣告离异,业界并不惊讶。 DIGITIMES称,紫光集团与英特尔一直有意扩大合作,传出有延伸至存储器产业的迹象,业界推测英特尔与美光“分手”的原因之一,可看作英特尔大连3D NAND厂与紫光集团展开合作所做的前期布局。 至于两家公司分道扬镳的理由,此前有业界人士分析,在NAND堆叠层数破百后,需要调整String Stacking的堆叠方式,因为双方对此看法不同,因而分手。另外一种可能是,目前3D NAND的生产主流是电荷储存式(Charge trap) ,三星电子等厂商均采用这一方式,英特尔/美光是唯一采用浮闸(floaTIng gate)架构的厂商。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构,但这相当于承认失败,表明从2D NAND转换成3D NAND后,选用浮闸是一个错误决定,因而闹翻。 据DIGITIMES援引NAND Flash产业人士分析,若英特尔与紫光集团合体进攻3D NAND市场,这将会是三星、东芝(Toshiba)等大厂最怕见到的情况,因为一旦大陆势力介入现在六强鼎立的3D NAND市场生态,恐让市场供需更快速失衡,陷入供过于求。站在英特尔角度,若英特尔引入紫光势力,不但可以给三星、东芝等阵营下马威,更可以有条件换取大陆更好的发展空间,这一招联陆抗日韩来说是非常不错的战术。 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)也发表文章认为,美光与英特尔未来在独立开发NAND Flash技术后,也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性,以增加其市场影响力。 据集微网掌握的消息分析,这一事件应该与紫光集团的关系不大。 据悉,在3D NAND制程方面,英特尔和美光已进入第二代产品可堆叠64层,目前正在研发第三代产品,预料将可实现96层的堆叠技术,有望在2018年底、2019年初问世。未来,两家公司还会继续共同研发 3D XPoint 存储器,此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。 英特尔强调,双方都认为,独立之后,将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户,且不会对路线图和技术节点造成影响。DRAMeXchange也表示,由于96层3D NAND直到2019年才逐渐成为主流,分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。
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