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  4. / 求教:MOS管驱动芯片
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[问答] 求教:MOS管驱动芯片

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助理工程师
发表于 2016-10-30 09:47:51   3951 查看 4 回复 只看该作者 倒序浏览
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本人在使用IR2110S这一款MOS管驱动芯片,结合它的datasheet,对它的原理有如下问题请教,谢谢大家指点!之前发过这个帖子,这次配图了,直观一些。
1.IR2110S芯片的Vcc端口(下开关管的供电电压)并接0.1uf和10uf的两个电容再接15V,电容起什么作用,如果是滤波作用,是不是用10uf滤低频,0.1uf滤高频?
2.与VB端口(上开关管的悬浮供电电压)连接的1uf电容和二极管D1,构成的自举电路有何作用,工作原理是怎么样的?其中1uf电容接在VB端口和VS端口(上开关管的悬浮供电的地)之间的,二极管D1接在VB与VCC之间。
3.IR2110S芯片的输出端口Ho和Lo与功率开关管的基极之间,还有接有一个27欧姆电阻和反并联二极管D2,D3的组合,这是有什么作用?

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kelei999999 2016-10-30 1、"并接0.1uf和10uf的两个电容再接15V"这两个电容叫退耦电容。
2、自举升压是通过主开关管下管开通时完成的,自举电流流经下桥臂
3、电阻是充电电阻,设置此电阻的目的是防止驱动信号过快上升导致开关管过快的开通和关断、过快的开通和关断会产生很高的dv/dt,干扰很大。和二极管配合是为了实现开通和关断的时间不相同
标签:二极管 高频 开关
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实习生
发表于 2016-10-30 09:47:52  
1、"并接0.1uf和10uf的两个电容再接15V"这两个电容叫退耦电容。
2、自举升压是通过主开关管下管开通时完成的,自举电流流经下桥臂
3、电阻是充电电阻,设置此电阻的目的是防止驱动信号过快上升导致开关管过快的开通和关断、过快的开通和关断会产生很高的dv/dt,干扰很大。和二极管配合是为了实现开通和关断的时间不相同
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助理工程师
发表于 2016-10-30 11:56:14    楼主|
kelei999999 发表于 2016-10-30 10:30
1、"并接0.1uf和10uf的两个电容再接15V"这两个电容叫退耦电容。
2、自举升压是通过主开关管下管开通时完成的,自举电流流经下桥臂
3、电阻是充电电阻,设置此电阻的目的是防止驱动信号过快上升导致开关管过快的开通和关断、过快的开通和关断会产生很高的dv/dt,干扰很大。和二极管配合是为了实现开通和关断的时间不相同 ...

谢谢你的回答,我还有一下疑问,望继续解答,谢谢
1.去耦电容是去掉输出干扰,在这儿是什么作用,去掉什么的输出干扰
2.自举升压电路是在15V的基础上升压吗?电压是如何升起来的?
3.有了电阻,如何阻止驱动信号上升过快?难道是电阻阻碍了信号的传输?
4.dv/dt的产生带来什么干扰,是不是根据公示i=c.dv/dt产生电流干扰?
希望你可以说的详细些
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版主
发表于 2016-10-30 20:34:27  
这个楼主最好看一下这款IC的典型线路分析   
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助理工程师
发表于 2017-12-28 16:28:26  
6666666666666666666666666666666666666
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